Product Introduction
產品介紹
Product Introduction
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電漿水洗式尾氣(廢氣)處理機- CVD & Etch 多粉塵專用 保護環境是我們每個人的責任 機台類型：電漿水洗式 for CVD & Etch 多粉塵 process 工藝流程：廢氣預熱處理→渦流電漿高溫裂解(2,000~10,000C°)→水洗可溶解毒氣→水洗降溫排氣 處理氣體：PFCs Gas (CF4、SF6、NF3...) & N2O....
| 燃燒水洗式尾氣(廢氣)處理機 保護環境是我們每個人的責任 機台類型：燃燒水洗式 工藝流程：天然氣高溫熱裂解有毒氣體→渦流水沖刷腔室保持腔室低於50C°→水洗可溶解毒氣→水洗降溫排氣 處理氣體：PFCs Gas (CF4、SF6、NF3...)
| 加熱水洗式尾氣(廢氣)處理機 保護環境是我們每個人的責任 機台類型：加熱水洗式 工藝流程：廢氣加熱高溫裂解(600~800C°)→水洗可溶解毒氣→水洗降溫排氣 處理氣體：可高溫裂解或氧化及可水洗廢氣 |
水洗式尾氣(廢氣)處理機 保護環境是我們每個人的責任 機台類型：水洗式 工藝流程：廢氣進入水洗腔室一, 二, 三腔室→常溫水洗可被水處裡的氣體 處理氣體：可在常溫被水處理之廢氣
| 吸附式尾氣(廢氣)處理機 保護環境是我們每個人的責任 機台類型：吸附式 工藝流程：廢氣進入吸附桶→常溫吸附特定廢氣 處理氣體：可在常溫被吸附劑吸附之廢氣
| 雙內腔室加熱水洗(廢氣)處理機-MOCVD, EPI, NH3 烤箱, 大流量氫氣 (獨家專利) 保護環境是我們每個人的責任 機台類型：加熱PCW冷卻式-MOCVD, EPI, NH3 over, 大流量氫氣製程專用 工藝流程：廢氣加熱高溫裂解於內外腔式(600~850C°)→水洗可溶解毒氣→水洗降溫排氣 處理氣體：NH3: 0-200slm / H2: 0-600slm |
電漿水洗式尾氣(廢氣)處理機- Etch 製程低粉塵專用 保護環境是我們每個人的責任 機台類型：電漿水洗式 工藝流程：廢氣預熱處理→渦流電漿高溫裂解(2,000~10,000C°)→水洗可溶解毒氣→水洗降溫排氣 處理氣體：PFCs & HFCs Gas (CF4、SF6、NF3...)
| IPA尾氣(廢氣)處理機- Wet Bench 專用 保護環境是我們每個人的責任 機台類型：IPA 水洗式(83CMM & 120CMM) 工藝流程：機密 (電洽) 處理氣體：IPA NH3 HF PGMEA & PM2.5...... | 去除尾氣(廢氣)粉塵/異味/Nox處理機 保護環境是我們每個人的責任 機台類型：EP System 安裝於 Local Scrubber 後端或是 Central Scrubber 前或後方(依處裡需觸求) 工藝流程：機密 (電洽) 處理氣體：異味/粉塵 /酸霧/De-Nox |
觸媒水洗式尾氣(廢氣)處理機 保護環境是我們每個人的責任 機台類型：觸媒水洗式 工藝流程：廢氣進入觸媒腔室做高溫吸附→酸性氣體水洗並降溫氣體 處理氣體：特氣房或氣瓶櫃溫室氣體或製程含氟氣體不帶粉塵
| 燃燒水洗式尾氣(廢氣)處理機 - Twin 保護環境是我們每個人的責任 機台類型：燃燒水洗式-Twin ( 雙腔室雙面板控制 ) 工藝流程：天然氣高溫熱裂解有毒氣體→渦流水沖刷腔室保持腔室低於50C°→水洗可溶解毒氣→水洗降溫排氣 處理氣體：PFCs Gas (CF4、SF6、NF3...) & N2O..
| 電漿式水洗式尾氣(廢氣)處理機 - N2O 專用低 NOx 設計 保護環境是我們每個人的責任 機台類型：電漿式水洗式-處理高流量 N2O 氣體並有效減少副產物 Nox , 低於排放標準 工藝流程：廢氣進入處理腔式→渦流電漿高溫裂解(2,000~10,000C°)→水洗可溶解毒氣→水洗降溫排氣 處理氣體：N2O & PFCs Gas (CF4、SF6、NF3...)
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電漿水洗式尾氣(廢氣)處理機 - Twin 保護環境是我們每個人的責任 機台類型：電漿水洗式-Twin (雙腔室雙面板控制) 工藝流程：廢氣預熱處理→渦流電漿高溫裂解(2,000~10,000C°)→水洗可溶解毒氣→水洗降溫排氣 處理氣體：PFCs Gas (CF4、SF6、NF3...) & N2O..
| 雙內腔室加熱水洗(廢氣)處理機-MOCVD, EPI, NH3 烤箱, 大流量氫並有腐蝕氣體製程專用 (獨家專利) 保護環境是我們每個人的責任 機台類型：加熱水洗式 工藝流程：廢氣加熱高溫裂解於內外腔式(600~850C°)→水洗可溶解毒氣→水洗降溫排氣 處理氣體：NH3: 0-200slm / H2: 0-600slm
| 電漿水洗式尾氣(廢氣)處理機- 冷媒銷毀 & 高氟氣 (F2) 製程專用 (獨家專利) 保護環境是我們每個人的責任 機台類型：電漿水洗式+De-HCFC system 工藝流程：廢氣進入反應腔室處理→De-HCFC system 與冷媒或高氟氣反應經渦流電漿高溫裂解(2,000~10,000C°)→水洗可溶解毒氣→水洗降溫排氣 處理氣體：HCFCs gas (R134, R22, R407A.....) & 半導體含大量氟氣製程 |
電漿水洗式尾氣(廢氣)處理機- EPI 含量 TESO & SiH4 等多粉製程專用 保護環境是我們每個人的責任 機台類型：電漿水洗式 + 特殊控制系統 (可依據溫度調節水量) 工藝流程：廢氣進入反應腔室處理→流入氣體與經渦流電漿高溫裂解(2,000~10,000C°)→水洗可溶解毒氣→水洗降溫排氣 處理氣體：H2: 200slm & SiH4 , TESO 等高粉塵副產物製程
| CMS 中央監控系統 - Local Scrubber 機台用 保護環境是我們每個人的責任 機台類型：Local Scubber 附屬設備 機型 : CHIYO_LS_CMS 監控範圍 : 電壓 , 電流 , 壓力 , 溫度 ..... 相關參數 , Alarm record , 直接轉為 excel 直接判別分析 Local scrubber , pump , pipe 或主機台所產生的問題
| Powder Trap 保護環境是我們每個人的責任 Trap 類型：Front of Pump / Rear of Pump 機型 : Cold Trap (PCW) / Coil Trap / Foaming Trap / Combi Trap |
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